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STGD5H60DF

功能描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

制造商：stmicroelectronics

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：有效

IGBT 类型：沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：10A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：20A

不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：1.95V @ 15V，5A

功率 - 最大值：83W

开关能量：56μJ（开），78.5μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：43nC

25°C 时 Td（开/关）值：30ns/140ns

测试条件：400V，5A，47 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：134.5ns

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DPAK

标准包装：1

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